真空鍍膜的種類

 在真空中製備膜層，包括鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單（dān）質或化合物膜。雖然化學汽相沉積（jī）也采用減壓、低壓或等離子體等真空（kōng）手段，但一般真空鍍（dù）膜是指用物理的方法沉（chén）積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發（fā）鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發（fā）鍍膜 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表麵，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現（xiàn）代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛（guà）在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方（fāng）。待（dài）係統抽至（zhì）高（gāo）真空後（hòu），加熱坩堝使（shǐ）其中的物質（zhì）蒸發。蒸發（fā）物質的原子或（huò）分子以冷凝方式沉（chén）積在基片表麵（miàn）。薄膜厚度可由數百埃至（zhì）數（shù）微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率（lǜ）和時間（或決定於裝料量），並與源和基（jī）片的距離有關。對於大麵積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方（fāng）式以保證膜層厚度的（de）均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子（zǐ）在殘餘氣體中的平均自（zì）由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。

蒸發源（yuán）有三種類型。①電阻（zǔ）加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀（zhuàng）,通以電流,加熱（rè）在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質,電阻（zǔ）加熱源主要用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發（fā）物質（zhì）。③電子束加熱源：適用（yòng）於蒸發（fā）溫度較高（不低（dī）於2000[618-1]）的材料，即（jí）用電子束轟（hōng）擊材料使其蒸發。

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